三菱電機(jī)公布了SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)計劃。在該公司面向新聞媒體舉行的“功率器件業(yè)務(wù)說明會”(2010年7月15日在東京舉行)上，三菱電機(jī)專務(wù)執(zhí)行董事、半導(dǎo)體及器件業(yè)務(wù)本部長久間和生介紹了有關(guān)內(nèi)容(參閱本站報道)。該公司計劃從2011年度開始量產(chǎn)將SiC二極管與Si-IGBT組合在一起的混合型逆變器模塊，并在該年度內(nèi)首先配備到三菱電機(jī)制造的家電、產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品上。最初將用于面向日本國內(nèi)市場的產(chǎn)品上。該公司目前使用該公司的功率器件工廠(福岡縣福岡市)內(nèi)的100mm(4英寸)晶圓產(chǎn)生線來量產(chǎn)SiC二極管，計劃2013～2014年度量產(chǎn)將Si-IGBT換成SiC MOSFET的全SiC型逆變器模塊。
三菱電機(jī)2009年12月在功率器件制作所內(nèi)設(shè)立了處理能力為3000塊/月的100mm晶圓試制生產(chǎn)線�！斑@一處理能力可滿足目前的需求。力爭2010年代上半期從公司內(nèi)外獲得可實現(xiàn)全負(fù)荷生產(chǎn)的訂單”。該公司目前正在利用該生產(chǎn)線試制SiC二極管及SiC MOSFET，而且均獲得了超過預(yù)想的高成品率，將來還打算利用150mm(6英寸)直徑以上的晶圓來進(jìn)行生產(chǎn)。該公司表示，雖然量產(chǎn)之初使用事先形成外延膜的外延晶圓，但為了提高器件質(zhì)量的控制性，今后還將考慮采購裸晶圓，在公司內(nèi)部形成外延膜。
對于配備SiC器件的逆變器模塊的用途，該公司表示“將配備在2011年度本公司生產(chǎn)的產(chǎn)品上，考慮的候選領(lǐng)域有3～4個”。具體包括家電、產(chǎn)業(yè)設(shè)備、太陽能發(fā)電系統(tǒng)相關(guān)產(chǎn)品等。另外該公司還將積極推進(jìn)模塊的外銷業(yè)務(wù)。從中長期看，“在SiC器件的配備對象中汽車將占有相當(dāng)大的比例”。
三菱電機(jī)此前發(fā)布了與SiC器件有關(guān)的大量開發(fā)成果。與這種情況相比，該公司的產(chǎn)品計劃則顯得比競爭公司更為謹(jǐn)慎。比如，在SiC二極管方面，日本廠商中羅姆已從2010年5月開始實施量產(chǎn)，新日本無線也計劃在2010年內(nèi)開始量產(chǎn)。對此，三菱電機(jī)表示“在使用新材料量產(chǎn)器件時，稍不留意就會失敗。我們將在SiC器件的質(zhì)量和成本得到確認(rèn)之后再進(jìn)行量產(chǎn)。比如，在量產(chǎn)前需要充分掌握什么缺陷會影響器件質(zhì)量，而什么缺陷不會影響器件質(zhì)量的機(jī)制”。并且該公司還表示，其在SiC器件業(yè)務(wù)上的勝算就在于，“對功率半導(dǎo)體所需要的封裝及模塊化，擁有其他公司沒有的豐富經(jīng)驗”。
在作為新一代高功率器件材料與SiC同樣備受關(guān)注的GaN方面，三菱電機(jī)已推出雷達(dá)等宇航領(lǐng)域使用的高頻功率放大器產(chǎn)品。至于在逆變器等功率半導(dǎo)體模塊上的應(yīng)用，該公司表示“現(xiàn)有GaN器件(的溝道)為橫型，因此與縱型的SiC器件相比難以確保電流容量。不過，將來也有可能以實現(xiàn)在功率半導(dǎo)體模塊上應(yīng)用為目標(biāo)展開相關(guān)開發(fā)”。

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